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采用离子束溅射技术,在不同温度的Si（100）衬底上生长了一系列Ge量子点样品,利用AFM和Raman光谱对样品表面形貌和结构进行表征,结果表明,随着温度升高,量子点密度增大（750℃生长的量子点密度达到1.85×10^10cm^-2）,均匀性变好及结晶性增强;但随生长温度升高,Si-Ge互混程度也同时加剧。