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通过对磁控溅射条件的优化，制备出了较理想的SmCo(Al,Si)/Cr硬盘磁记录介质。退火处理后又得到较好的硬磁薄膜。结果表明，Sm含量在31.6％ atm,Cr缓冲层为66 nm，Sm(CoAlSi)5磁性层为30 nm等条件下，制得的Sm(CoAlSi)5/Cr薄膜的矫顽力(Hc)为187.8 kA/m(2.36 kOe)，矩形比( S=Mr/Ms)≈0.94；在500℃保温25 min退火后，矫顽力(Hc)达1042.5kA/m(13.1 kOe)，矩形比(S)≈O.92。