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功率MOS晶体管的正向导通电阻是器件的重要指标,严重影响器件的使用可靠性。从封装材料、封装工艺等方面论述功率MOS管降低导通电阻、控制空洞、提高器件可靠性的封装技术,并通过一些实例来阐述工艺控制的效果。
提高MOS功率晶体管封装可靠性技术研究
【摘 要】
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功率MOS晶体管的正向导通电阻是器件的重要指标,严重影响器件的使用可靠性。从封装材料、封装工艺等方面论述功率MOS管降低导通电阻、控制空洞、提高器件可靠性的封装技术,并
【机 构】
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佛山市蓝箭电子有限公司,华南理工大学电子与信息学院。广东广州510640
【出 处】
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电子产品可靠性与环境试验
【发表日期】
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2009年06期
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