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在电荷泵技术的基础上，提出了一种新的方法用于分离和确定氧化层陷阱电荷和界面陷阱电荷对pMOS器件热载流子应力下的阈值电压退化的作用，并且这种方法得到了实验的验证．结果表明对于pMOS器件退化存在三种机制：电子陷阱俘获、空穴陷阱俘获和界面陷阱产生．需要注意的是界面陷阱产生仍然是pMOS器件热载流子退化的主要机制，不过氧化层陷阱电荷的作用也不可忽视．