热载流子退化相关论文
近年来,低温多晶硅薄膜晶体管(Thin-Film Transistor,TFT)被广泛应用在平板显示领域,实现像素矩阵与驱动电路的板上集成。然而在实......
该文基于IBM 90nm工艺,采用自偏置共源共栅结构设计了中心频率为24GHz的宽带功率放大器.自偏置技术可以消除氧化层击穿电压的......
研究了最大栅电流应力 (即 p MOSFET最坏退化情况 )下 p MOSFET栅电流的退化特性 .实验发现 ,在最大栅电流应力下 ,p MOSFET栅电流......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
应用二维器件仿真程序PISCES Ⅱ ,模拟计算了新型槽栅结构器件中凹槽拐角效应的影响与作用 ,讨论了槽栅结构MOSFET的沟道电场特征......
基于Tsuprem4和Medici模拟软件，研究了HaloLDD多晶硅薄膜晶体管工艺参数对热载流子效应的影响。结果表明，器件的热载流子效应随着Hal......
对LDD(轻掺杂漏)NMOS器件的热载流子退化特性进行了研究,发现LDD NMOS器件的退化呈现出新的特点.通过实验与模拟分析,得出了热载流......
应用二维器件仿真程序PISCES-Ⅱ,对槽栅结构和平面结构器件的特性进行了模拟比较,讨论了槽栅结构MOSFET的沟道电场特征及其对热载......
利用新型的直流电流电压（DCIV）法研究了热载流子应力下的亚微米pMOSFET的氧化层陷阱电荷和表面态产生行为，并对热载流子应力下pMOSFET......
研究了最大栅电流应力（即pMOSFET最坏退化情况）下pMOSFET栅电流的退化特性。实验发现，在最大栅电流应力下，pMOSFET栅电流随应力时间会......
提出一种可以表征STI型LDMOS器件各个区域界面陷阱密度分布的测试方法——MR-DCIV,利用该方法得到包括LDMOS器件的沟道区、积累区......
在电荷泵技术的基础上，提出了一种新的方法用于分离和确定氧化层陷阱电荷和界面陷阱电荷对pMOS器件热载流子应力下的阈值电压退化的......
通过对采用0．18μm CMOS工艺制造的两组不同沟道长度和栅氧厚度的LDD器件电应力退化实验发现，短沟薄栅氧LDD nMOSFET（Lg=0．18μm，Tox=3．2......
低温多晶硅薄膜晶体管（LTPS TFT）广泛应用于平板显示。从开态和关态两个方面，研究了热载流子（HC）应力下，N型金属诱导横向结晶（MILC） LTPST ......
讨论了槽栅结构nMOSFET的掺杂浓度对器件特性的影响,并通过二维器件仿真程序PISCES-Ⅱ进行了计算模拟比较.结果表明,提高衬底掺杂......
对PMOSFET's几种典型器件参数随应力时间的退化规律进行了深入研究，给出了一个新的器件退化监控量，并建立了不同器件参数退化的......
利用电荷泵技术研究了 4nmpMOSFET的热载流子应力下氧化层陷阱电荷的产生行为 .首先 ,对于不同沟道长度下的热载流子退化 ,通过直......
绝缘体上硅(SO1)功率集成器件具有集成密度高、静态功耗低、开关速度快及抗闩锁能力强等优点,而p型横向双扩散MOS器件(pLDMOS)作为......
厚膜绝缘体上硅(SOI)工艺具有隔离性能好、抗辐射能力强和寄生参数小等优点,而横向绝缘栅极极型晶体管(LIGBT)器件具有击穿电压高......
学位
基于Tsuprem4和Medici模拟软件，研究了LDD结构对多晶硅薄膜晶体管热载流子退化的影响。计算结果表明当栅氧层厚度tox=0．07μm时，碰撞......
结合近几年来国际上对于低温多晶硅薄膜晶体管器件可靠性开展的一些有代表性的研究工作，对其中几种常见的退化现象；自加热、热载流子......
期刊
