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研究了Ar^＋刻蚀对InGaAs，n-InP和p-InP表面的损伤，并用湿法腐蚀后处理消除损伤．Ar^＋刻蚀后InGaAs表面均方根粗糙度较小，而n-InP和p-InP表面明显变粗糙．刻蚀后InGaAsPL强度增加，而n-InP和p-InPPL强度都减小.用XPS分析了未刻蚀、Ar^＋刻蚀和湿法腐蚀后处理三种情况下样品表面原子含量．刻蚀后InGaAs表面In和Ga含量明显增加，n-InP和p-InP表面有严重P缺失．湿法腐蚀后，样品表面原子含量和未刻蚀前基本一致．