【摘 要】
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观察了 Ga-AsCl_3-H_2体系的 GaAs 外延整个过程中镓源状态的变化规律,并估计了系统中 GaCl/As 比的变化情况,报导并讨论了镓源状态对外延层厚度与浓度影响的规律。最后介绍
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观察了 Ga-AsCl_3-H_2体系的 GaAs 外延整个过程中镓源状态的变化规律,并估计了系统中 GaCl/As 比的变化情况,报导并讨论了镓源状态对外延层厚度与浓度影响的规律。最后介绍一种稳定、重复、供耿器件使用的 GaAs 汽相外延工艺。
The change rules of Ga source during GaAs epitaxy in Ga-AsCl 3 -H 2 system were observed, and the change of GaCl / As ratio in the system was estimated. The influence of Ga source state on the thickness and concentration of epitaxial layer was reported and discussed . Finally, a stable, repetitive, GaAs vapor phase epitaxy process for Geng devices is introduced.
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