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摘 要:基于模板-电化学沉积法制备出高度定向的银纳米线阵列(AgNWA)。运用电流-时间(i-t)曲线法和循环伏安法对其生长方式进行探究,选出合适的电沉积方式,避免其沉积时表面成膜的问题,同时简化了银纳米线阵列的制备工艺。
关键词:IPMC;银纳米线阵列;循环伏安法;电流-时间曲线法
1.前言
离子聚合物金属复合材料(ionic polymer metal composites,IPMC),该材料主要由阳离子交换膜和贵金属复合而成[1],其制备方法多采用化学镀、物理/化学气相沉积等方法制得,这些方法会由于IPMC内电极层的离子传输通道曲折、杂乱且无序,其响应速度、电致动性能会受到影响。
具有独特几何结构的纳米线若作为IPMC的内电极层,有望缩短其离子传输路径,阵列的纳米线结构可为电子转移提供直接路径。为此,本文对银纳米线阵列进行研究,使用电化学工作站基于电化学沉积法(Electrochemical deposition)[2]制备出高度定向的银纳米线阵列。运用循环伏安法和电流-时间曲线法对其进行生长方式的探究,对两种方式进行比较,选出既可避免银纳米线阵列沉积时表面成膜,制备工艺又更加简化的方法。
2.实验部分
2.1实验材料
2.2实验安排
2.2.1多孔AAO模板净化与引线
首先将AAO模板放入盛有40ml的二氯甲烷中超声处理10分钟,利用超声波震荡将模板边上及孔中的有机物质溶解在二氯甲烷中,操作时注意被蒸镀金层的一面朝上,避免超声功率过强使金层脱落;再将清洗好的AAO模板放入去离子水中浸泡15分钟,以除去孔内的无机物杂质;最后将浸泡好的模板放入去离子水中超声震荡5分钟,震碎孔隙中的气泡,避免电化学沉积时沉积液无法顺利进入孔隙中,导致大面积孔隙未被填充。再将清洗好的模板晾干并进行引线处理,将薄片铜电极与AAO模板被蒸镀金的一面接触,利用导电银胶填充缝隙,晾干4小时。
待导电银胶凝固后,用502胶水对AAO模板进行封装处理,封装时注意将蒸镀金的一面及侧边封装完全,不能留有缝隙,避免大量的银单质在金电极一面析出,降低银纳米线的填充率。至此,完成电沉积前的AAO模板处理。
2.2.2电化学沉积方法的选择
为探究较为合适的银纳米线阵列制备工艺,采用了循环伏安法(Cyclic Voltammetry)、电流-时间曲线法(Amperometric i-t Curve)两种方法进行电化学沉积。金属离子在阴极处发生的广义电化学还原反应为:
取13.6g硝酸银粉状固体配置100ml硝酸银溶液,本文沉积液中Ag+的浓度为0.8mol/L,较高浓度的Ag+可加快反应速率,促使反应向右进行。文献表明,AAO模板的润湿性较差,再向硝酸银溶液中加入0.04g十二烷基硫酸钠,以提高其润湿性,有利于纳米线的阵列生长。最后,加入3.6g的硼酸和适量的硝酸作为PH缓冲剂。
2.2.3AgNWA生长方式探究
将上述制备好的模板材料通过三电极体系组装在电化学工作站上,进行电化学分析,通过电化学工作站chi660e将数据形成图像输出,对图像进行分析,研究模板在循环伏安法下还原峰的循环稳定性、电流-时间曲线法和循环伏安法下银纳米线的生长过程。
安装电化学工作站电极部分,以沉积模板为工作电极(阴极)、饱和甘汞电极为参比电极,铂片为对电极。对沉积模板分别采用循环伏安法、电流-时间曲线法进行银纳米线阵列生长稳定性比较。利用模板在两种方法下的电化学工作站图像进行分析,通过origin软件将数据进行二次绘制,并计算得出各方法下电化学性能数据,对同一模板在不同方法下银纳米线阵列生长过程的稳定性进行比较,找出更合适的电化学沉积方法,并对其进行分析。研究循环伏安法和电流-时间曲线法对银纳米线阵列生长的影响。
3.结果与讨论
通过电化学工作站的CV分析得到模板在0.8mol/L的硝酸银沉积液中的CV图像如图1所示。每条曲线上的还原峰个数代表着Ag+被还原的次数,随着扫描次数的增多,循环伏安曲线所围成的面积依次减小,且还原峰值也较上一次下降13%,这表明在循环伏安法模式下,银纳米线阵列生长具有较高的随机性,前期生长速度较大,后期逐渐减小直至为零,即表面成膜。且在CV沉积过程的后期,应时刻观察工作电极,当纳米线长度大于模板高度时若继续沉积,纳米线将在模板表面形成一层薄膜,将不再表现纳米线的独特性质。由于实验参数的初始电位为负,故此图上没有向下的还原峰。
图2电流-时间曲线法下,银纳米线阵列的生长可以分为四个阶段。当体系电流刚接通时,点1由于双电层效应,流经模板的电流迅速增大,直到点2,1-2阶段,银纳米线完成了初始的形核过程。之后随着沉积时间的增加,模板上电流基本不变,即2-3阶段,这一阶段中,银纳米线在孔隙中定向生长。此过程中,工作电极的相对表面积变化甚微,因此,电流稳定在一定值。3-4阶段,纳米线生长过长,超出模板孔隙,造成电流逐步减小。最终,纳米线在模板表面逐渐形成二维薄膜,流经模板的电流保持在一较小值。
此后,若再对此模板接通电流,除刚开始由于孔隙中气泡影响电流变化和反应瞬间数据波动外,流经该模板的电流始终保持不变,如图3。
4.结论
与循环伏安法相比,时间-电流(i-t)曲线法沉积完成时会发生电流的突变,在沉积银纳米线阵列时,电流突变点3可为沉积截止点,这与TM.Whitney[3]等人发表在SCIENCE上的报道一致。因此,时间-电流曲线法更适合定向银纳米线阵列的生长。
参考文献
[1] 武观,胡颖,陈韦. 碳纳米管和石墨烯人工肌肉 [J] 科学通报. 2014;59(23):2240-2252.
[2] 邢晓云. AAO模板制备及交流电沉积Ni纳米线的研究 [硕士]:青岛大学;2012.
[3] Whitney TM,Searson PC,Jiang JS,Chien CL. Fabrication and Magnetic Properties of Arrays of Metallic Nanowires. 1993;261(5126):1316-1319.
基金項目:大学生创新创业训练计划项目(202010214228)
作者简介:左拥金(2001-),男,黑龙江省佳木斯市人,在读本科生,专业为材料成型及控制工程。
关键词:IPMC;银纳米线阵列;循环伏安法;电流-时间曲线法
1.前言
离子聚合物金属复合材料(ionic polymer metal composites,IPMC),该材料主要由阳离子交换膜和贵金属复合而成[1],其制备方法多采用化学镀、物理/化学气相沉积等方法制得,这些方法会由于IPMC内电极层的离子传输通道曲折、杂乱且无序,其响应速度、电致动性能会受到影响。
具有独特几何结构的纳米线若作为IPMC的内电极层,有望缩短其离子传输路径,阵列的纳米线结构可为电子转移提供直接路径。为此,本文对银纳米线阵列进行研究,使用电化学工作站基于电化学沉积法(Electrochemical deposition)[2]制备出高度定向的银纳米线阵列。运用循环伏安法和电流-时间曲线法对其进行生长方式的探究,对两种方式进行比较,选出既可避免银纳米线阵列沉积时表面成膜,制备工艺又更加简化的方法。
2.实验部分
2.1实验材料
2.2实验安排
2.2.1多孔AAO模板净化与引线
首先将AAO模板放入盛有40ml的二氯甲烷中超声处理10分钟,利用超声波震荡将模板边上及孔中的有机物质溶解在二氯甲烷中,操作时注意被蒸镀金层的一面朝上,避免超声功率过强使金层脱落;再将清洗好的AAO模板放入去离子水中浸泡15分钟,以除去孔内的无机物杂质;最后将浸泡好的模板放入去离子水中超声震荡5分钟,震碎孔隙中的气泡,避免电化学沉积时沉积液无法顺利进入孔隙中,导致大面积孔隙未被填充。再将清洗好的模板晾干并进行引线处理,将薄片铜电极与AAO模板被蒸镀金的一面接触,利用导电银胶填充缝隙,晾干4小时。
待导电银胶凝固后,用502胶水对AAO模板进行封装处理,封装时注意将蒸镀金的一面及侧边封装完全,不能留有缝隙,避免大量的银单质在金电极一面析出,降低银纳米线的填充率。至此,完成电沉积前的AAO模板处理。
2.2.2电化学沉积方法的选择
为探究较为合适的银纳米线阵列制备工艺,采用了循环伏安法(Cyclic Voltammetry)、电流-时间曲线法(Amperometric i-t Curve)两种方法进行电化学沉积。金属离子在阴极处发生的广义电化学还原反应为:
取13.6g硝酸银粉状固体配置100ml硝酸银溶液,本文沉积液中Ag+的浓度为0.8mol/L,较高浓度的Ag+可加快反应速率,促使反应向右进行。文献表明,AAO模板的润湿性较差,再向硝酸银溶液中加入0.04g十二烷基硫酸钠,以提高其润湿性,有利于纳米线的阵列生长。最后,加入3.6g的硼酸和适量的硝酸作为PH缓冲剂。
2.2.3AgNWA生长方式探究
将上述制备好的模板材料通过三电极体系组装在电化学工作站上,进行电化学分析,通过电化学工作站chi660e将数据形成图像输出,对图像进行分析,研究模板在循环伏安法下还原峰的循环稳定性、电流-时间曲线法和循环伏安法下银纳米线的生长过程。
安装电化学工作站电极部分,以沉积模板为工作电极(阴极)、饱和甘汞电极为参比电极,铂片为对电极。对沉积模板分别采用循环伏安法、电流-时间曲线法进行银纳米线阵列生长稳定性比较。利用模板在两种方法下的电化学工作站图像进行分析,通过origin软件将数据进行二次绘制,并计算得出各方法下电化学性能数据,对同一模板在不同方法下银纳米线阵列生长过程的稳定性进行比较,找出更合适的电化学沉积方法,并对其进行分析。研究循环伏安法和电流-时间曲线法对银纳米线阵列生长的影响。
3.结果与讨论
通过电化学工作站的CV分析得到模板在0.8mol/L的硝酸银沉积液中的CV图像如图1所示。每条曲线上的还原峰个数代表着Ag+被还原的次数,随着扫描次数的增多,循环伏安曲线所围成的面积依次减小,且还原峰值也较上一次下降13%,这表明在循环伏安法模式下,银纳米线阵列生长具有较高的随机性,前期生长速度较大,后期逐渐减小直至为零,即表面成膜。且在CV沉积过程的后期,应时刻观察工作电极,当纳米线长度大于模板高度时若继续沉积,纳米线将在模板表面形成一层薄膜,将不再表现纳米线的独特性质。由于实验参数的初始电位为负,故此图上没有向下的还原峰。
图2电流-时间曲线法下,银纳米线阵列的生长可以分为四个阶段。当体系电流刚接通时,点1由于双电层效应,流经模板的电流迅速增大,直到点2,1-2阶段,银纳米线完成了初始的形核过程。之后随着沉积时间的增加,模板上电流基本不变,即2-3阶段,这一阶段中,银纳米线在孔隙中定向生长。此过程中,工作电极的相对表面积变化甚微,因此,电流稳定在一定值。3-4阶段,纳米线生长过长,超出模板孔隙,造成电流逐步减小。最终,纳米线在模板表面逐渐形成二维薄膜,流经模板的电流保持在一较小值。
此后,若再对此模板接通电流,除刚开始由于孔隙中气泡影响电流变化和反应瞬间数据波动外,流经该模板的电流始终保持不变,如图3。
4.结论
与循环伏安法相比,时间-电流(i-t)曲线法沉积完成时会发生电流的突变,在沉积银纳米线阵列时,电流突变点3可为沉积截止点,这与TM.Whitney[3]等人发表在SCIENCE上的报道一致。因此,时间-电流曲线法更适合定向银纳米线阵列的生长。
参考文献
[1] 武观,胡颖,陈韦. 碳纳米管和石墨烯人工肌肉 [J] 科学通报. 2014;59(23):2240-2252.
[2] 邢晓云. AAO模板制备及交流电沉积Ni纳米线的研究 [硕士]:青岛大学;2012.
[3] Whitney TM,Searson PC,Jiang JS,Chien CL. Fabrication and Magnetic Properties of Arrays of Metallic Nanowires. 1993;261(5126):1316-1319.
基金項目:大学生创新创业训练计划项目(202010214228)
作者简介:左拥金(2001-),男,黑龙江省佳木斯市人,在读本科生,专业为材料成型及控制工程。