【摘 要】
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以SiCl4和H2为气源，用等离子体增强化学气相沉积技术，在300℃的低温下，研究不同的氢流量对纳米晶硅薄膜生长特性的影响。实验发现，氢对薄膜生长特性的影响有异于SiH4／H2，在一定功率
【机 构】
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韩山师范学院物理系,汕头大学物理系
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以SiCl4和H2为气源，用等离子体增强化学气相沉积技术，在300℃的低温下，研究不同的氢流量对纳米晶硅薄膜生长特性的影响。实验发现，氢对薄膜生长特性的影响有异于SiH4／H2，在一定功率下，薄膜的晶化率随氢流量的减小而增加；而薄膜的生长速率也强烈依赖于氢流量，随氢流量的减小而增大，与氢流量对薄膜晶化度的变化关系一致。通过调控氢流量，在低氢流量条件下获得了生长速率高达0．35nm／s，晶化度高达76％的晶化硅薄膜。
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