【摘 要】
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采用常规CMOS硅栅工艺的4英寸圆片又形成批量生产能力。它们的电参数 可用于研究与灯区熔再结晶( Lamp ZMR)技术相关的问题的影响,其结果令人满 意。有效沟道长度为1.7μ的沟
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采用常规CMOS硅栅工艺的4英寸圆片又形成批量生产能力。它们的电参数 可用于研究与灯区熔再结晶( Lamp ZMR)技术相关的问题的影响,其结果令人满 意。有效沟道长度为1.7μ的沟增强型晶体管阈值电压分布集中,其平均值约为0.9V,标准偏差为61mV。 p沟和n沟晶体管的漏电流保持在0.1pA/μm沟宽以下。已制成有效沟长为1.7μm的249级环形振荡器,其传输延迟时间为0.5ns。
4-inch wafers using conventional CMOS silicon gate technology form a mass-production capability. Their electrical parameters can be used to study the effects of problems associated with lamp ZMR technology and the results are satisfactory. The trench enhancement transistor with an effective channel length of 1.7μ has a concentrated threshold voltage distribution with an average of about 0.9V and a standard deviation of 61mV. The leakage current of the p-channel and n-channel transistors remains below 0.1 pA / μm. A 249 ring oscillator with an effective trench length of 1.7 μm has been fabricated with a propagation delay of 0.5 ns.
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