GaAs/GaAlAs双异质结激光器退化的研究(摘要)

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我们观察了室温下工作的DH激光器的退化现象,发现在短时间内退化的器件除阈值升高外尚伴随着微分量子效率的下降。这些器件中观察到了暗线缺陷的形成。还有一些较快退化的器件则只有阈值的上升,而量子效率基本上不变。观察到这些器件中往往出现腔面的损伤。对热稳定性良好并于较长时间(>250小时)阈值上升率(△J_(th)/J_(th)千小时)小于3%的器件,高温老化证明它们的寿命都能超过万小时量级。 We observed degradation of DH lasers operating at room temperature and found that devices degraded in a short time were accompanied by a decrease in differential quantum efficiency in addition to a threshold increase. Dark line defects were observed in these devices. Still other faster degraded devices have only a threshold increase, while the quantum efficiency is essentially constant. It is observed that there are often cavities in these devices. For devices with good thermal stability and a threshold increase rate (ΔJ th / J th Thousand) for less than 3% over a long period of time (> 250 hours), high temperature aging proves that their lifetime can exceed 10,000 hours level.
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