Ⅲ-Ⅴ族化合物HBT建模

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【摘要】

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Ⅲ-Ⅴ族化合物HBT微波特性的精确建模对该类器件的微波功率应用极为重要．本文开发了一个可精确用于表征Ⅲ-Ⅴ族化合物HBT直流、大、小信号特性的新模型，并可用于对HBT器件极为

【作者】

：

刘军孙玲玲

【机构】

：

杭州电子科技大学微电子CAD研究所

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2005年11期

【关键词】

：

Ⅲ-Ⅴ族微波HBT 大小信号建模 Ⅲ-Ⅴ microwave HBTs large- and small-signal modeling

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Ⅲ-Ⅴ族化合物HBT微波特性的精确建模对该类器件的微波功率应用极为重要．本文开发了一个可精确用于表征Ⅲ-Ⅴ族化合物HBT直流、大、小信号特性的新模型，并可用于对HBT器件极为重要的自热效应的仿真．模型开发过程中对UCSDHBT模型和VBIC BJT模型进行了借鉴，但新模型不同于以上两个模型．模型通过对比直流、S参数和功率测量结果进行验证．

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