【摘 要】
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富士通半导体（上海）有限公司宣布，推出基于硅衬底的氮化镓（GaN）功率器件芯片MB5IT008A，该芯片可耐压150V。富士通半导体将于2013年7月起开始提供新品样片。该产品初始状态是断开（Nor
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富士通半导体（上海）有限公司宣布，推出基于硅衬底的氮化镓（GaN）功率器件芯片MB5IT008A，该芯片可耐压150V。富士通半导体将于2013年7月起开始提供新品样片。该产品初始状态是断开（Normally—off），相比于同等耐压规格的硅功率器件，品质因数（FOM）可降低近一半。基于富士通半导体的GaN功率器件，用户可以设计出体积更小，效率更高的电源组件，可广泛的运用于ICT设备、工业设备和汽车电子等领域。
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