温差电传感器在温差监测中的应用

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半导体材料与一般金属温差电材料相比,具有大得多的温差电动势率和小的导热率以及小的电阻率。对于通常用于检测温差的传感器来说,这是一些很重要的特性。性能较佳的n-Bi_2Te_3·Se_2Te_3材料,具有如下的数据:热导率为1.4×10~(-2)W/cm·°C;电阻率为 1.1×10~(-3)Ω·cm;温差电动势率为210μV/°C。p- Semiconductor materials have much larger thermoelectric power and thermal conductivities and lower resistivities than typical metal thermoelectric materials. This is a very important feature for sensors that are commonly used to detect temperature differences. The better performance of n-Bi 2 Te 3 · Se 2 Te 3 material with the following data: thermal conductivity of 1.4 × 10 -2 W / cm · ° C; resistivity of 1.1 × 10 -3 Ω · cm; The temperature difference emf is 210μV / ° C. p-
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