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为寻求PMN-32PT单晶电学性能不稳定的成因，利用准静态压电常数测试仪、数字电桥和EDS对[-001]切型PMN-32PT单晶的电学性能和成分分布进行了对比分析，并考察了裂纹对晶体电学性能的影响．结果表明，元素分布的不均匀是造成[-001]切型PMN-32PT单晶电学性能不均匀的重要原因，其中Ti对晶体的压电性能有正的贡献而Nb与之相反，Mg对介电常数有正的贡献；裂纹对晶体的电学性能影响显著，在裂纹处，PMN-32PT单晶的电学性能急剧下降．