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生长温度５００℃，在Ｓｉ（１００）衬底上分子束外延自组织生长锗量子点。７００℃退火２０分钟后观察到其光致发光。原子力显微镜（ＡＦＭ）和横截面试样透镜（ＸＴＥＭ）方法用于观察量子点的大小和密度．利用喇曼光谱观察下不同温度退火引起的Ｇｅ与Ｓｉ之间的互扩散。
Si中Ge量子点的光致发光
【摘 要】
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生长温度５００℃，在Ｓｉ（１００）衬底上分子束外延自组织生长锗量子点。７００℃退火２０分钟后观察到其光致发光。原子力显微镜（ＡＦＭ）和横截面试样透镜（ＸＴＥＭ）方法用于观察量子点的大小和密度．利用喇曼光谱观察下不同温
【机 构】
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复旦大学应用表面物理国家重点实验室
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1997年12期
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