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引言 氮化铝(A1N)具有高强度、高体积电阻率、高绝缘耐压、热膨胀系数与硅匹配好等特性,不但成为新型的高导热陶瓷电子基板和封装材料^[1],而且还用作结构陶瓷的烧结助剂或增强相^[2-4]。由于氮化铝在潮湿的环境极易与水中羟基形成氢氧化铝,在AlN粉体表面形成氧化铝层,氧化铝晶格溶人大量的氧,降低其热导率,