【摘 要】
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用XPS分别检测了在去离子水中浸泡 1 58h以及在 430℃高温加热 1h的离子束辅助沉积MoS2 Ta复合膜中Mo与S元素的电子结构。发现在浸泡和 430℃高温环境 ,MoS2 Ta复合膜的抗
【机 构】
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四川大学原子核科学技术研究所教育部辐射物理及技术开放实验室!成都610064,四川大学原子核科学技术研究所教育部辐射物理及技术开放实验室!成都610064,四川大学原子核科学技术研究所教育部辐射物理及
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用XPS分别检测了在去离子水中浸泡 1 58h以及在 430℃高温加热 1h的离子束辅助沉积MoS2 Ta复合膜中Mo与S元素的电子结构。发现在浸泡和 430℃高温环境 ,MoS2 Ta复合膜的抗氧化特性远优于同样条件下沉积的纯MoS2 复合膜。结合TEM ,AES和XPS对MoS2 Ta膜的形态、结构、组成以及元素的化学态进行的观察和分析 ,讨论了这种膜抗氧化性能提高的可能机制
The electronic structures of Mo and S elements in MoS2 Ta composite films were examined by XPS after being soaked in deionized water for 158 h and heated at 430 ℃ for 1 h. The results show that the anti-oxidation properties of MoS2 Ta composite films are much better than that of pure MoS2 films deposited under the same conditions. Combined with TEM, AES and XPS, the morphology, structure, composition and elemental chemical states of MoS2 Ta film were observed and analyzed. The possible mechanism of improving the oxidation resistance of the film was discussed
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