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采用常压CVD方法在铝合金基底上制备出硅氧化合物陶瓷膜层.使用SEM、TEM及XPS仪分析了膜层形貌、成分和组织结构,通过180°、90°弯曲实验和450 ℃热冲击实验考察了陶瓷膜层与基片的结合性能,证实该技术制备的膜层与基底的结合强度很高.
具有高结合强度的铝基片SiOx陶瓷膜层CVD制备
【摘 要】
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采用常压CVD方法在铝合金基底上制备出硅氧化合物陶瓷膜层.使用SEM、TEM及XPS仪分析了膜层形貌、成分和组织结构,通过180°、90°弯曲实验和450 ℃热冲击实验考察了
【机 构】
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浙江大学材料与化工学院,浙江大学测试中心
【出 处】
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金属热处理学报
【发表日期】
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2002年4期
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