【摘 要】
：
应用深能级瞬态谱(DLTS)技术研究分子束外延(MBE)生长的high electron mobility transistors (HEMT)和Pseudomorphic high electron mobility transistors(P|HEMT)结构深中心
【机 构】
：
中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室,香港科技大学物理系
论文部分内容阅读
应用深能级瞬态谱(DLTS)技术研究分子束外延(MBE)生长的high electron mobility transistors (HEMT)和Pseudomorphic high electron mobility transistors(P|HEMT)结构深中心行为.样品的DLTS谱表明,在HEMT和P|HEMT结构的n|AlGaAs层里存在着较大浓度(1015-1017cm-3)和俘获截面(10-16cm2)的近禁带中部电子陷阱.它们可能与AlGaAs层的氧含量有关.同时还观察到P|HEMT结构晶格不匹配的AlGaAs InGaAs GaAs系统在AlGaAs里产生的应力引起DX中心(与硅有关)能级位置的有序移动.其移动量可作为应力大小的一个判据,表明DLTS技术是定性识别此应力的可靠和简便的工具.
其他文献
在试验分析基础上,采用单自由度体系模型,此模型考虑了在钢纤维钢筋混凝土组合板局部破坏时,钢纤维的抗拔作用、钢筋的抗剪、钢板薄膜力作用和柔性土介质的耗能等主要影响因
用金属有机化学气相沉积技术在三种不同型号的反应管中生长了GaN∶Si膜。通过对样品的光电及结晶性能的分析 ,研究了气流混合时间不同对GaN∶Si膜性质的影响。结果表明 :合理
设R(S)为一给定n×n阶实矩阵S的列空间,给出了矩阵方程反问题AX=B在R(S)上的对称阵类中有解的充分必要条件及通解的表达式,讨论了解对于已知矩阵的最佳逼近问题,给出了数值算
用金属有机物气相外延设备 ,在氮化镓 /蓝宝石复合衬底上快速外延生长铟镓氮薄膜 ,并对其进行了 X射线三晶衍射、光致发光、反射光谱及霍尔测量等实验测试 .确定该薄膜为单晶
以类氖 氩离子跃迁线为例 ,应用一维的Lagrangian程序———XDCH研究了毛细管放电碰撞机制激励软X光激光的物理机制 ;对等离子体的Z 箍缩过程和 46 9nm谱线产生增益的条件
采用混沌理论进行电力系统短期负荷预测,对利用Lyapunov指数算法进行负荷预测作了介绍,包括用混沌理论实现相空间的重构,以及通过计算关联维得到最优嵌入维数的方法、计算Lya
采用元素、XPS、GPC分析,凝胶和力学性能测定,研究了空气中不同环境温度下紫外辐照官能化HDPE的结构、粘着性以及紫外辐照官能化HDPE对HDPE/聚乙烯醇(PVA)体系的增容作用.实
本文基于粗集理论,提出了一种新的规则提取法LBR(Learning By Rough Sets),并对LBR与另一种已有的规则提取法LEM1,即全局覆盖算法(global covering algorithm)进行了比较和讨
采用腔内和腔外两种方法对激光脉冲进行光谱整形。在掺钛蓝宝石再生放大器中插入一定厚度的石英双折射晶体片 ,通过调节晶体光轴的空间取向 ,对再生放大器输出的脉冲光谱进行
利用氨热法合成了AlxGa1 -xN合金的纳米固体 ,其中Al含量的摩尔数可在x =0～ 1的范围内变化 .在x值从 0到 1整个范围内 ,对该合金的纳米固体进行了激光Raman光谱分析 ,证实了A1