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对单台面SiGe HBT在E-B结反偏应力下直流特性的可靠性进行了研究.研究结果表明,随应力时间的增加,开启电压增加,直流电流增益下降,特别是在低E-B正偏电压时下降明显;而交流电流增益退化缓慢.
Si／SiGe／Si HBT直流特性的可靠性
【摘 要】
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对单台面SiGe HBT在E-B结反偏应力下直流特性的可靠性进行了研究.研究结果表明,随应力时间的增加,开启电压增加,直流电流增益下降,特别是在低E-B正偏电压时下降明显;而交流电
【机 构】
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中国电子科技集团公司十三所,北京工业大学
【出 处】
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微纳电子技术
【发表日期】
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2003年10期
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