【摘 要】
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文章讨论了 TFSOI/CMOS中 ESD电路与常见体硅 ESD电路的主要区别，详细分析了 ESD电路中各个组成部分对整体性能的影响，成功地研制了抗 2000V静电的 ESD保护电路，指出了进一步提
【机 构】
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文章讨论了 TFSOI/CMOS中 ESD电路与常见体硅 ESD电路的主要区别，详细分析了 ESD电路中各个组成部分对整体性能的影响，成功地研制了抗 2000V静电的 ESD保护电路，指出了进一步提高 TFSOI/CMOS ESD抗静电能力的途径。
This article discusses the main differences between TFSOI / CMOS ESD circuits and common bulk silicon ESD circuits. The influence of each component of ESD circuits on the overall performance is analyzed in detail. ESD protection circuits against 2000V static are successfully developed, and the further improvement is pointed out TFSOI / CMOS ESD anti-static approach.
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