【摘 要】
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据《SemiconductorWorld》1995年第6期报道，日立制作所和VLSI公司已共同开发成0·35μm尺寸的ASIC工艺技术。这种新技术，在电源电压2．2V—3．6V下，门速度可达110ps，耗散功率为7μW／G
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据《SemiconductorWorld》1995年第6期报道，日立制作所和VLSI公司已共同开发成0·35μm尺寸的ASIC工艺技术。这种新技术，在电源电压2．2V—3．6V下，门速度可达110ps，耗散功率为7μW／G·MHz。采用5层金属布线技术，最大的集成度为500万门，工作频率为250MHz以上。布线间距
According to “SemiconductorWorld” No. 6, 1995 reported that Hitachi and VLSI companies have jointly developed into 0. 35μm size ASIC technology. This new technology, with a supply voltage of 2.2V-3.6V, has gate speeds up to 110ps and dissipation power of 7μW / G · MHz. Using 5-layer metal wiring technology, the maximum integration of 5 million, the operating frequency of 250MHz or more. Wiring pitch
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