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该文针对PSP模型中漏致势垒降低效应建模纯经验性的缺点,通过求解二维泊松方程得到漏致势垒降低效应引起阈值电压漂移的解析解,并将其应用于32nm晶体管的直流I-V曲线拟合,结果显示此模型有很好的拟合精度。
小尺寸MOS晶体管的漏致势垒降低效应建模
【摘 要】
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该文针对PSP模型中漏致势垒降低效应建模纯经验性的缺点,通过求解二维泊松方程得到漏致势垒降低效应引起阈值电压漂移的解析解,并将其应用于32nm晶体管的直流I-V曲线拟合,结
【机 构】
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杭州电子科技大学电子信息学院
【出 处】
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杭州电子科技大学学报
【发表日期】
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2010年3期
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