CoCr合金薄膜厚度对其结构及磁性的影响

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【摘要】

：

本文用射频磁控溅射法制备了厚度20～600nm的CoCr合金薄膜。研究了薄膜厚度tm对薄膜结构和磁特性的影响。薄膜生长的初生阶段，存在着一个非晶、混乱取向的动生层。垂直磁各向异

【作者】

：

阎明朗耿胜利杨正

【机构】

：

中国科学院物理研究所,兰州大学磁性材料研究所

【出处】

：

磁记录材料

【发表日期】

：

1994年1期

【关键词】

：

薄膜厚度 COCR 合金薄膜磁特性薄膜生长动生射频磁控溅射法薄膜结构垂直磁化单畴粒子

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本文用射频磁控溅射法制备了厚度20～600nm的CoCr合金薄膜。研究了薄膜厚度tm对薄膜结构和磁特性的影响。薄膜生长的初生阶段，存在着一个非晶、混乱取向的动生层。垂直磁各向异性变差的原因是薄膜还没有形成hcp结构。随CoCr薄膜厚度tm的增加，垂直磁特性变好，原因是薄膜的结晶完整性改善及晶粒取向度提高

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