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碳的加入为Ｓｉ－Ｇｅ系统在能带和应变工程上提供了更大的灵活性。处于替代位置的碳可以缓解ＳｉＧｅ合金的应变，同时调节其能带，报道了用ＵＨＶ／ＣＶＤ生长的掺碳达２．２％的锗硅碳合金，获得啊良好的外延层质量，应变缓解效应明显，使用了Ｘ射线衍射（ＸＲＤ），二次离子质谱（ＳＩＭＳ）与高分辨电子放射显微镜（ＨＲＴＥＭ）对外延层进行检测，使用傅里叶红外吸收光普（ＦＴＩＲ）确定碳了处于替代位置，并对实验结果进行了