【摘 要】
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介绍了一种应用于片上系统超高速4位快闪式A／D转换器的设计。该转换器采用0．18μm CMOS工艺。其特点是采用一种基于反相器的阈值电压比较器（TIQ）阵列替代传统Flash结构中的模拟电
【机 构】
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西安电子科技大学微电子研究所,宽禁带半导体材料和器件教育部重点实验室
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介绍了一种应用于片上系统超高速4位快闪式A／D转换器的设计。该转换器采用0．18μm CMOS工艺。其特点是采用一种基于反相器的阈值电压比较器（TIQ）阵列替代传统Flash结构中的模拟电路部分。仿真结果显示，该4位A／D转换器在2 GSPS的速度和1．8V的工作电压下，功耗仅为9．80 mW。
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