【摘 要】
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本文我们提出一种新的器件,它是根据非晶硅材料制成的,通过室温电容测量,能够直接探测红外辐射。该器件是一种p-c-n型叠层结构,这里c表示一层补偿的非晶硅吸收层。器件的运转
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本文我们提出一种新的器件,它是根据非晶硅材料制成的,通过室温电容测量,能够直接探测红外辐射。该器件是一种p-c-n型叠层结构,这里c表示一层补偿的非晶硅吸收层。器件的运转是基于价带内的扩展态和禁带内的缺陷之间的跃迁而进行的,跃迁是由红外辐射引起的。我们发现:测量的电容敏感于800nm～5μm波段。
In this paper, we propose a new device that is made of amorphous silicon material that measures infrared radiation directly at ambient temperature. The device is a p-c-n type stack structure where c represents a compensated amorphous silicon absorber layer. The operation of the device is based on the transition between the extended state in the valence band and the defect in the forbidden band, the transition being caused by infrared radiation. We found that: the measured capacitance is sensitive to 800nm ~ 5μm band.
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