论文部分内容阅读
使用双杂质的Anderson模型的哈密顿量，从理论上研究了一个嵌入并联耦合量子点（DQD）的介观电路在低温情况下的非平衡电子输运性质，并用隶玻色子（slave—boson）平均场近似方法求解了哈密顿，结果表明：在低温情况下，这个系统中的Kondo效应、库仑阻塞效应以及外加偏压的复杂相互关系决定了电子的输运性质：随偏压的增加，电流先是快速增大而后缓慢增大；随耦合强度的增加，微分电导由Kondo单峰变成Kondo双峰，且峰值降低，双峰距变宽．