论文部分内容阅读
采用DC磁控溅射法，分别在P—Si（111）和玻璃基片上沉积AlN薄膜。利用X射线衍射（XRD）、X射线能谱仪（EDS）、原子力显微镜（AFM）、台阶仪＼紫外／可见分光光度计和傅里叶变换红外光谱仪（FTIR）分析了薄膜的结构组分、表面形貌、膜厚、光学性能和红外吸收特性。结果表明：溅射电流对AlN薄膜的生成有很大的影响，当电流增加到0．40A时，薄膜中出现明显的h—AlN（100）和AlN（110）衍射峰；样品的最大高度都小于30nm；样品在250—1000nm波长范围内具有较高的透射率，当溅射电流为0．4