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本文介绍采用APCVD方法制备了掺硼厚多晶硅膜,研究了影响掺硼多晶层的因素及其电阻率的分布,得到一组电阻率或淀积速率与温度、流量以及随位置参量x变化的关系曲线。
掺硼多晶硅的制备及其电阻率
【摘 要】
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本文介绍采用APCVD方法制备了掺硼厚多晶硅膜,研究了影响掺硼多晶层的因素及其电阻率的分布,得到一组电阻率或淀积速率与温度、流量以及随位置参量x变化的关系曲线。
【机 构】
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华中理工大学固电系,华中理工大学固电系武汉,武汉,武汉
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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1992年2期
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