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直拉法(Czochralski Technique)生长硅单晶是目前获得高质量大直径晶体的一种最常用工业化方法,在直拉法生长硅单晶过程中引入磁场可以有效抑制熔体对流,提高电阻率均匀性,控制氧含量、碳含量浓度,改善硅单晶微缺陷,从而获得高质量大直径硅单晶。主要介绍了熔体中的熔体对流、产生原因、磁场抑制熔体对流的原理,并以横向磁场为研究对象,分析了横向磁场的组成结构、工作原理。