【摘 要】
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采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,对Co掺杂CrSi2的几何结构、电子结构和光学性质进行了计算与分析。结果表明,掺杂后的CrSi2晶格常数无明显变化,禁带宽度增
【基金项目】
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国家自然科学基金(61264004),贵州省留学回国人员科技活动择优资助项目([2018]09),贵州省高层次创新型人才培养项目([2015]4015)
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采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,对Co掺杂CrSi2的几何结构、电子结构和光学性质进行了计算与分析。结果表明,掺杂后的CrSi2晶格常数无明显变化,禁带宽度增大。由于Co元素3d电子的影响,在费米能级附近出现了杂质能级。掺杂后的CrSi2复介电函数虚部在低能方向发生红移,在小于1.20 eV,大于2.41 eV的能量范围内光跃迁强度增强。吸收系数的主峰向高能方向移动,峰值增大,在小于1.38 eV,大于3.30 eV的能量范围改善了CrSi2对红外光子的吸收。光电导率的主峰向高能方向移动,
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