【摘 要】
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描述了一种汽相生长n~+-n-n~+多层外延InP的简便方法及其生长程序.用本方法生长的具有特殊掺杂分布的n~+-n-n~+外延InP,制得了高效率InP耿氏二极管.在49.2 GHz下,连续波输出
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描述了一种汽相生长n~+-n-n~+多层外延InP的简便方法及其生长程序.用本方法生长的具有特殊掺杂分布的n~+-n-n~+外延InP,制得了高效率InP耿氏二极管.在49.2 GHz下,连续波输出功率为232mW效率高达7.52％.
A simple method and its growth program for vapor phase growth of n ~ + -nn ~ + multi-layer epitaxial InP are described. The InP with n ~ + -nn ~ + epitaxy with special doping distribution grown by this method has high Efficiency InP Gunn diode. At 49.2 GHz, continuous wave output power is 232mW and efficiency is as high as 7.52%.
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