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报道了原子力显微镜对ＭＯＶＰＥ生长ＧａＮ材料过渡层表面结构的观察，重点分析了氮化，退火前后过渡层结构变化的原因及其对外延生长晶体质量的影响，探讨了不同条件下ＧａＮ成核模式折变化，对ＧａＮ材料的生长初期成核机理有了进一步的了解，通过优化生长条件，最终获得了Ｘ射线双晶衍射半峰宽为５ａｒｃｍｉｎ表面明亮的高质量ＧａＮ外延层。