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本文报道了采用电子束热蒸发的方法用铂做肖特基接触在ｎ型６－ＳｉＣ体材料上制作肖特基二极管的工艺过程和器件特性。对实验结果进行了比较分析，Ｉ－Ｖ特性测量说明Ｐｔ－６Ｈ－ＳｉＣ肖特基二极管有较好的整流特性，肖特基势垒高度为１．０３ｅＶ，开启电压约为０．５Ｖ。
SiC肖特基势垒二极管的研制
【摘 要】
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本文报道了采用电子束热蒸发的方法用铂做肖特基接触在ｎ型６－ＳｉＣ体材料上制作肖特基二极管的工艺过程和器件特性。对实验结果进行了比较分析，Ｉ－Ｖ特性测量说明Ｐｔ－６Ｈ－ＳｉＣ肖特基二极管有较好的整流特
【机 构】
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西安电子科学大学微电子所,西安交通大学微电子工程系
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1999年11期
【基金项目】
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国防预研基金
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