等离子增强化学汽相淀积a—SiC：H薄膜的AES研究

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：spirit_if

【摘要】

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用俄歇电子能谱(AES)对等离子增强化学汽相淀积(PECVD)氢化非晶碳化硅(a-SiC∶H)薄膜进行了组分的深度剖析、半定量分析以及化学分析.俄歇深度剖析曲线表明PECVD淀积的薄膜均

【作者】

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刘德中张伟

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

1989年11期

【关键词】

：

PECVD 等离子薄膜 AES PECVDa-SiC:HAESSi LVV Auger spectraC KLL Auger

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用俄歇电子能谱(AES)对等离子增强化学汽相淀积(PECVD)氢化非晶碳化硅(a-SiC∶H)薄膜进行了组分的深度剖析、半定量分析以及化学分析.俄歇深度剖析曲线表明PECVD淀积的薄膜均匀性非常好;用俄歇半定量结果比较了薄膜成分同淀积工艺参量之间的一些关系;根据实验获得的Si LVV和CKLL俄歇谱比较和讨论了不同[Si]/[C]浓度比薄膜的化学特征.

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