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以Czochralski技术首次系统生长Mg:Nd:LiNbO3晶体.测试晶体的荧光光谱,(1.0%, 3.0%, 5.0%, 6.5%,8%)(摩尔分数,下同)Mg:Nd:LiNbO3晶体在0.888 μm,1.088 μm和2.171 μm有最强的谱线.测试晶体抗光损伤能力,x(MgO)浓度高于5%的Mg:Nd:LiNbO3晶体抗光损伤能力比Nd:LiNbO3晶体提高2个数量级以上.Mg:Nd:LiNbO3晶体相位匹配温度随掺进MgO的浓度而改变,x(MgO)=5%时达到最大值,MgO浓度继续增加相位