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采用射频磁控溅射法，制备了纳米Si／SiO2和SiNx／SiO2多层膜，得到强的可见光致发光，利用傅里叶红外吸收（FTIR）谱和光致发光（PL）谱，对其发光特性进行了研究，在374nm和712nm左右观察到强发光峰。用量子限制一发光中心（QCLC）模型解释了其可能的发光机制，认为发光可能源自于SiOx界面处的缺陷发光中心。建立了发光的能隙态（EGS）模型，认为440nm和485nm的发光源于N—Si—O和Si—O—Si缺陷态能级。