【摘 要】
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对纳米半导体材料SO2-4/La-α-Fe2O3进行了IR、XPS分析和比表面积测定实验,并制成厚膜型酒敏元件,探索了焙烧温度与灵敏度的关系以及气敏元件的稳定性. 结果表明,样品中SO2-4
【机 构】
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福建漳州师范学院化学系,漳州,363000福州大学化学系功能材料研究所,福州;福州大学化学系功能材料研究所,福州;
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对纳米半导体材料SO2-4/La-α-Fe2O3进行了IR、XPS分析和比表面积测定实验,并制成厚膜型酒敏元件,探索了焙烧温度与灵敏度的关系以及气敏元件的稳定性. 结果表明,样品中SO2-4与La-α-Fe2O3表面的金属离子(Fe3+或La3+)结合构型是无机桥式配位型,SO2-4的加入使Fe2p3/2电子结合能从710.85 eV提高到712.10 eV,表面Fe3+在SO2-4的作用下显示出更正的电位,从而改变了半导体性质,由p型转变成为n型;在焙烧温度为450 ℃烧结的SO2-4/La-α-Fe2O3元件,对酒精的灵敏度最高(S=35.7)、稳定性好.
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说明:此套试题是第36届奥地利数学奥林匹克这本小册子中的第三套试题.标题中的“初中”为译者所加.