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3 GaN单片ICrn3.1 GaN功率ICrnGaN单片IC技术包含三类:功率IC、逻辑IC和混合信号IC.其中功率IC基于Si基GaN技术易于与Si IC集成的特点,实现功率开关器件与电路的单片集成.近几年GaN功率IC的技术进步有:实现了GaN功率器件与三阳极续流二极管、共源共栅二极管、栅驱动电路、温度传感器等的单片集成,半桥电路、变换器IC和由微波驱动的IC(DBM-IC)等功率电路的单片集成,由GaN功率IC混合集成的GaN 3×3矩阵变换器、1.0 MHz GaN电力系统的GaN基隔离栅驱动器和300 MHz谐振的小型DC-DC变换器.