肖特基二极管对微波响应的多物理场协同计算

来源 :四川大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户：zhou0168

【摘要】

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以型号为HSMS-282c的肖特基二极管为例,利用多物理场协同算法对其微波响应特性进行了计算.通过比较器件在有或无封装时对特定频率的响应情况,发现封装可使器件的耗散功率增加

【作者】

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王昊陈星徐可黄卡玛

【机构】

：

四川大学电子信息学院

【出处】

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四川大学学报(自然科学版)

【发表日期】

：

2015年5期

【关键词】

：

非线性特性微波肖特基二极管多物理场 Nonlinear characteristic Microwave Schottky diode Multi-

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以型号为HSMS-282c的肖特基二极管为例,利用多物理场协同算法对其微波响应特性进行了计算.通过比较器件在有或无封装时对特定频率的响应情况,发现封装可使器件的耗散功率增加87%.本文还对比了肖特基二极管在不同频率微波激励下的平均耗散功率,发现器件的耗散功率在3.5GHz附近存在峰值.当二极管的工作频率高于3.2GHz时,耗散功率会随环境温度的增加而增加.研究结果对于半导体器件的微波效应研究具有重要的参考价值.

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