水平区熔法掺铁半绝缘磷化铟单晶

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为提供外延生长用半绝缘衬底,以鉴定外延片质量和制作微波器件,已用水平区熔法在石英管中生长掺铁半绝缘磷化铟单晶。这也是我国首次试制成的掺铁半绝缘磷化铟单晶。 In order to provide a semi-insulating substrate for epitaxial growth to qualify epitaxial wafers and fabricate microwave devices, a doped iron-doped semi-insulating indium phosphide single crystal has been grown in a quartz tube by a horizontal zone melting method. This is also our first trial made of iron-doped semi-insulating indium phosphide single crystal.
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