【摘 要】
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三菱电机采用独特的WSi/Ti/Au三层低阻栅和LDD(低掺杂漏)结构以及优化的离子注入条件,使GaAsFET的性能得到很大的提高:在12GHz下,噪声系数为1.25dB,增益为9.5dB,截止频率为4
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三菱电机采用独特的WSi/Ti/Au三层低阻栅和LDD(低掺杂漏)结构以及优化的离子注入条件,使GaAsFET的性能得到很大的提高:在12GHz下,噪声系数为1.25dB,增益为9.5dB,截止频率为42GHz,跨导为260～
Mitsubishi Electric uses a unique WSi / Ti / Au triple low-resistance gate and LDD (low doping drain) structure and optimized ion implantation conditions to greatly improve the performance of GaAsFETs: at 12GHz, the noise figure is 1.25dB , Gain of 9.5dB, cutoff frequency of 42GHz, transconductance of 260 ~
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