【摘 要】
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鉴于目前缺乏场效应管的低噪声设计公式,作者通过详细推导得到场效应管(结型)的几组噪声特性表达式,列于表1。 表中:I_g为栅极散粒噪声电流,I_g~2=2qI_GΔf; I_t为沟道热噪
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鉴于目前缺乏场效应管的低噪声设计公式,作者通过详细推导得到场效应管(结型)的几组噪声特性表达式,列于表1。 表中:I_g为栅极散粒噪声电流,I_g~2=2qI_GΔf; I_t为沟道热噪声电流,I_t~2=4kT(2/3gm)Δf; I_f为1/f噪声电流,I_f~2=K_01/fΔf。 上述关系中g为电子电荷等于1.6×10~(-19)C,k为玻尔兹曼常数1.38×10~(-23)J/°K,T为
In view of the current lack of low-noise FET design formula, the author derives several sets of noise characteristics of FET (junction type) expression, shown in Table 1. I_g is the gate noise current, I_g ~ 2 = 2qI_GΔf; I_t is the channel thermal noise current, I_t ~ 2 = 4kT (2 / 3gm) Δf; I_f is 1 / f noise current, I_f ~ 2 = K_01 / fΔf. In the above relationship, g is an electron charge equal to 1.6 × 10 ~ (-19) C, k is a Boltzmann constant of 1.38 × 10 -2 (-23) J / ° K, and T is
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