【摘 要】
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利用化学浴沉积法制备了不同Ga掺杂量的ZnS（ZnS∶Ga）薄膜,并采用热氧化法生长了Ga掺杂ZnO（ZnO∶Ga）薄膜,研究了ZnO∶Ga薄膜的表面形貌、成分及光致发光性能。结果表明：Ga的掺入改
【机 构】
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西安理工大学材料科学与工程学院,陕西省电工材料与熔渗技术重点实验室
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利用化学浴沉积法制备了不同Ga掺杂量的ZnS（ZnS∶Ga）薄膜,并采用热氧化法生长了Ga掺杂ZnO（ZnO∶Ga）薄膜,研究了ZnO∶Ga薄膜的表面形貌、成分及光致发光性能。结果表明：Ga的掺入改变了ZnO薄膜的微观结构、化学计量比、氧空位的相对含量,进而影响了薄膜的光致发光性能。随着Ga掺杂量增加,ZnO薄膜的致密度提高,颗粒尺寸减小;同时改善了ZnO的化学计量比,氧空位相对含量随之减少;ZnO薄膜的紫外光与可见光强度比增大。
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