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综述近年国内外在ＣｏＳｉ２／Ｓｉ异质外延生长领域的研究进展，在半导体衬底上异质外延具有优良导电特性的金属硅化物，从基础研究和技术发展两方面都具有重要价值。利用ＣｏＴｉ／Ｓｉ多层薄膜固相反应实现ＣｏＳｉ２／Ｓｉ异质外延，最近年取得重要进展的新方法。应用这种方法在（１１１）和（１００）硅衬底上都可实现ＣｏＳｉ２外延生长，无需在超高真空下进行，与硅器件基本工艺相容性好，可形成自对准硅化物接触结构，对发展