【摘 要】
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阐述了真空微电子触觉传感器的工作原理。采用半导体集成电路加工技术和硅微各向异性腐蚀及氧化锐化工艺,在电阻率为3~5Ω·cm的n型(100)硅片上制备了真空微电子触觉传感器的场致发射阴极
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阐述了真空微电子触觉传感器的工作原理。采用半导体集成电路加工技术和硅微各向异性腐蚀及氧化锐化工艺,在电阻率为3~5Ω·cm的n型(100)硅片上制备了真空微电子触觉传感器的场致发射阴极锥尖阵列,锥尖密度达3900个/mm2,起始发射电压为2~3V,反向击穿电压大于30V,收集极在20V在电压时,单尖发射电流达0.2μA,实验结果表明这种真空微电子触觉传感器具有良好的触觉效应。
The working principle of the vacuum microelectronic tactile sensor is described. A semiconductor microelectronic tactile sensor was fabricated on a n-type (100) silicon wafer with a resistivity of 3 ~ 5Ω · cm by using semiconductor integrated circuit (IC) fabrication technology, silicon micro anisotropic etching and oxidation sharpening process The tip array has a cone tip density of 3900 cells / mm2, an initial emission voltage of 2-3V, a reverse breakdown voltage of greater than 30V, and a collector current of 0.2μA at a voltage of 20V. The experimental results show that A kind of vacuum microelectronic touch sensor has good haptic effect.
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