直接跃迁相关论文
基于密度泛函理论体系下的第一性原理平面波超软赝势法,计算了纯TiO2体系、S、Pt单掺以及S-Pt共掺TiO2四种体系的能带结构、态密度......
采用表面光电压谱和光致荧光激发谱对多孔硅的能带结构和跃迁特性进行了系统研究。结果表明，多孔硅的带隙明显大于单晶硅的带隙，在３００～５００ｎｍ区......
稀释磁性半导体(DMS),或半磁半导体(SMSC)是一类新型的半导体材料。它是以Ⅱ—Ⅵ族、Ⅳ—Ⅵ族、Ⅱ—Ⅴ族或Ⅲ—Ⅴ族化合物为基体,......
高质量ＺｎＳｅ单晶的研究房昌水魏景谦吕孟凯顾庆天王从先卓洪升（山东大学晶体材料研究所，济南２５０１００）ＳｔｕｄｙｏｎＳｕｂｓｔｒａｔｅｑｕａｌｉｔｙＺｎＳｅＳｉｎｇｌｅＣｒｙｓｔａｌＦａｎｇＣｈａｎｇｓｈｕｉＷｅｉＪｉｎｇｑｉａｎＬｕＭｅｎｇｋａ...
Study on High Quality ZnSe Single C......
１引言 以硅化铁为中心的金属硅化物薄膜可以采用溅射、真空蒸镀、分子束外延技术、离子注入等诸多方法制作，并对其单晶性能和电子结......
近年来发现,在磷化镓透明衬底上气相外延生长掺氮磷砷化镓时,由于等电子陷阱杂质氮这一发光中心的引进,使高x值的GaAs_(1-x)P_x(x......
用Kana模型对Hg0.83Mn0.17Te的光学吸收光谱进行了分析.并详细分析了重空穴和导带间的直接跃迁导致的本征光吸收,结果表明用Kana模......
我们从紫外到红外范围测量了掺入MgO和ZnO的LiNbO3 单晶的光学透射系数。计算了与波长有关的光学吸收系数α和它的根α1/2 (也相应......
1990年英国科学家Canham发现了多孔硅在摩温下光激发射可见光效应,立刻引起了世界科学界的轰动,在不到两年的时间,就发表了多达九......
运用紧束缚能带理论,研究拉伸形变下BC3纳米管的能带结构.研究表明:随着拉伸和压缩强度的不断增加,BC3纳米管的导带能级和价带能级......
人教版高中《物理》第三册(必修加选修)第48面练习三第3题值得商榷.题目如下:要使氢原子从n=1的状态跃迁到n=3的状态,它所吸收的光......
本文是一篇综述性报告。根据近年来的有关报道，结合作者的实验结呆，对ＩＯ、ＩＴＯ透明导电薄膜的研究情况和实验方法作了简要的评述，重点讨论了......
简述了立方氮化硼的优异性能、国内外研究立方氮化硼薄膜的历史、现状、应用前景及存在的问题.
The excellent performance of cu......
介绍了用多功能光栅光谱仪测量GaN膜的吸收系数、折射率等光学参数的方法 ,并对结果进行了分析比较
The method of measuring opt......
以三水醋酸铅、醋酸锶、钛酸丁酯为原料,乙二醇甲醚、去离子水、乙酰丙酮做溶剂。用溶胶-凝胶法制备(Pb0.50Sr0.50)TiO3 (PST)前驱......
利用磁控溅射,在玻璃基底上沉积了ITO∶Ta薄膜。研究了在不同衬底温度下ITO和ITO∶Ta薄膜的光电性能。高价金属元素Ta掺杂促进薄膜......
由TiO2反胶束溶胶制备一系列TiO2纳米晶薄膜,对膜的吸收光谱和激发发射光谱研究表明制备的膜存在有二种模式的跃迁,直接跃迁和间接......
由于磷化铟是一种直接跃迁型半导体,有较高的电流峰谷比和较大的热导。它比硅和砷化镓等常用半导体有更为优越的性能,可以在更高......
本文讨论了在温度4.2K,真空度为10~(-10)乇时,用Drude法测量Ta—W—Re合金从0.5至5电子伏特之光学常数。从Ta、W与Re的已知电子能......
“集成电路块”的问世,使硅几乎成了一个家喻户晓的词,而今,特别是在高速化要求下,另一种材料——砷化镓正厉兵秣马,欲向硅在微电......
在液氮温度下,利用本实验得到的关系式[N]cm~(-3)=1.05×10~(15)α_A_0·Γ,可较简便地估算氮液度。观察到LEC衬底在外延掺杂过程......
引言 近年来,人们很注意用于信息处理光电装置的高效发光管。用Ⅲ—Ⅴ族元素,同质p—n结制作的发红和绿光的发光二极管取得了很大......
1975年,我们建立了光电压光谱测定磷砷化镓外延层组成的方法,报告了它的原理,实验装置及数据处理的方法.本文对实验条件作了标准......
本文报导了采用聚焦激光束在Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体表面上形成欧姆接触。我们利用脉冲红宝石激光器(λ=0.6943微米),脉冲钇铝石榴石......
本文叙述了近年来大力发展的半导体发光二极管的性能和它的优缺点,讨论了现在和将来的应用。从实用的角度出发,现在最有希望的是Ga......
发光——在一定温度下超出热辐射,又有比光的振动周期更长的发光期间的那一部分辐射。它是物体的有选择性的本征发光。发光学的研......
本文所说的Ⅱ—Ⅵ族材料系指硫化锌、硫化镉,硒化锌、硒化镉、碲化锌、碲化镉。这些材料具有禁带宽度大,杂质复合发光效率高,直接......
采用高压温度梯度冷凝法,由元素锢和红磷直接合成纯度磷化铟多晶。每次合成1小时,可得多晶300克。典型纯度磷化铟多晶的电学性质为......
(三)近紫外及可见光光电子能谱在半个多世纪以前,人们对光电子发射就有了很大兴趣,陆续发明了很多种量子产额较高的实用光电阴极,......
一、引言从本世纪60年代瑞典的Siegbahn和英国的Turner分别开始X辐射光电子能谱和紫外光电子能谱的研究工作以来,电子能谱学已经......
本文介绍用可选支的连续CO_2激光器在低于禁带宽度的谱线范围内研究100K的Hg_(0.785)Cd_(0.215)Te线性与非线性吸收光谱,由受主能......
分析了HgCdTe材料中杂质浓度与费密能级的关系。根据Kane三能带模型和费密-狄拉克统计,直接利用电中性条件n-P_1-P_-P_3=N计算了......
用超高压电镜观察和分析了平面、剖面及磨角的Ga_xIn_(1-x)P/GaAs样品,界面附近位错线的柏氏矢量大多是 b=1/2,平面样品中位错线弯......
本文报道了用改进了的 Piper-Polich 法制备 CdTe 晶体的方法以及对晶体完整性的观测和晶体禁带宽度与电学参数的测量结果。这些结......
目前工业部门能生产出各种类型的发光粉。很多情况下它们的参数不能满足现代要求的水平。人们常常议论电致发光粉工作过程中亮度(......
1.引言Ge是间接跃迁型半导体。如图1所示,在吸收端附近,存在着直接跃迁型半导体所没有的缓慢拖尾现象。另一方面,在吸收端附近,迄......
硅无疑是现在研究得最多的一种元素。如果没有硅,整个微电子学将不可想象。然而几年前这种材料的利用似乎已经到顶。进一步发展,......
在77 K下,0—30 kbar 静压范围内研究了 GaAs/AlAs超短周期超晶格的静压光致发光.测得(GaAs)_1/(AlAs)_1的光致发光峰的压力系数为......
在收录机旁欣赏旋律悠扬的音乐时,同时欣赏到随着音乐声的高低闪烁的红、黄、绿光.这灯光就是由发光二极管发射的.发光二极管简称 ......
本文对高亮度GaAlAs LED芯片和外延片的研制原理和工艺进行了研究。实验是在全自动液相外延炉上进行,选用1～1.7℃/min的降温速率,生......
