论文部分内容阅读
采用傅里叶变换红外光谱仪、椭偏仪和YAF-5000M等测试仪器，对薄膜晶体栅界面层的键结构及含量、光学性能、物理性能以及晶体管导电性能进行分析研究。重点讨论了键含量与薄膜禁带宽度和介电常数的关系。结果表明：提高栅界面层N—H键含量（或减少Si-H键含量）能提高光禁带宽度和相对介电常数。栅界面层能改善非晶氮化硅薄膜和非晶硅薄膜的界面性能，提高薄膜晶体管的稳定性和场效应迁移率。